logo
products

MX5069 EFuse IC High Side N_FET Driver Power Distribution Đối với hệ thống công nghiệp 24V 48V

Thông tin cơ bản
Nguồn gốc: Trung Quốc
Hàng hiệu: RFan
Chứng nhận: UL
Số mô hình: MX5069
Số lượng đặt hàng tối thiểu: 3000
Giá bán: negotiable
Thời gian giao hàng: 2-4 tuần
Điều khoản thanh toán: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Thông tin chi tiết
Bảo vệ phân cực ngược: Vâng Nhà sản xuất: Nhiều nhà sản xuất
Bảo vệ quá dòng: Vâng Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +125°C
bảo vệ quá áp: Vâng Loại gói: Mặt đất
bảo vệ ngắn mạch: Vâng
Làm nổi bật:

MX5069 EFuse IC

,

48V EFuse IC

,

24V EFuse IC


Mô tả sản phẩm

Trình điều khiển N_FET phía cao E-Fuse MX5069 Quản lý phân phối điện hiệu quả cho hệ thống công nghiệp 24V và 48V

MX5069 EFuse IC High Side N_FET Driver Power Distribution Đối với hệ thống công nghiệp 24V 48V 0

 

 

Trình điều khiển N_FET phía cao MX5069 hoạt động với MOSFET bên ngoài và hoạt động như một bộ chỉnh lưu diode lý tưởng khi được kết nối nối tiếp với nguồn điện. Bộ điều khiển này cho phép MOSFET thay thế bộ chỉnh lưu diode trong mạng phân phối điện, giảm tổn thất điện năng và sụt áp. Bộ điều khiển MX5069 cung cấp bộ điều khiển cổng bơm sạc cho MOSFET kênh N bên ngoài và bộ so sánh phản hồi nhanh để tắt FET khi dòng điện chạy ngược. Giới hạn dòng điện trong dãy N-Channel bên ngoài.MOSFET có thể lập trình được. Các mức khóa điện áp thấp và quá áp đầu vào được lập trình bằng mạng phân chia điện trở. MX5069 tự động khởi động lại ở chu kỳ hoạt động cố định. MX5069 có sẵn trong gói DFN3*3 10 chân và MSOP10L.

 

Đặc trưng

 

* Phạm vi hoạt động rộng: 5V đến 85V

* Có thể điều chỉnh giới hạn dòng điện

* Chức năng ngắt mạch cho các sự kiện quá dòng nghiêm trọng

* Bơm sạc phía cao bên trong và bộ điều khiển cổng cho MOSFET kênh N bên ngoài

* Phản ứng nhanh 50ns đối với sự đảo chiều hiện tại

* Khóa điện áp thấp có thể điều chỉnh (UVLO)

* Khóa quá áp có thể điều chỉnh (OVP)

* Hoạt động thoát nước mở thấp NGUỒN đầu ra TỐT

* Có sẵn với tính năng tự động khởi động lại

* Gói 10 chân DFN3*3-10L và MSOP10

 

Ứng dụng

* Hệ thống bảng nối đa năng máy chủ

* Hệ thống phân phối điện trạm gốc

* Bộ ngắt mạch trạng thái rắn

* Hệ thống công nghiệp 24V và 48V

 

Thông tin đặt hàng

 

Mã sản phẩm Sự miêu tả
MX5069D DFN3*3-10L
MX5069MS MSOP10L
MPQ 3000 chiếc

 

Gói tản ratiếng vang

 

Bưu kiện RθJA (°C/W)
DFN3*3-10L 50
MSOP10 156

 

Xếp hạng tối đa tuyệt đối

 

 

tham số Giá trị
VIN sang GND -0,3 đến 90V
SENSE, RA tới GND -0,3 đến 90V
GATE tới GND -0,3 đến 100V
OUT tới GND (nhanh chóng 1ms) -0,3 đến 95V
UVLO sang GND -0,3 đến 90V
OVP, PGD sang GND -0,3 đến 7V
VIN sang SENSE -0,3 đến 0,3V
ILIM sang GND -0,3V đến 3,5V
Nhiệt độ tiếp giáp tối đa, TJMAX 150oC
Nhiệt độ bảo quản, Tstg -65 đến 150oC

 

Những căng thẳng vượt quá mức được liệt kê trong Xếp hạng tối đa tuyệt đối có thể gây hư hỏng vĩnh viễn cho thiết bị. Phơi nhiễm

điều kiện đánh giá tối đa tuyệt đối trong thời gian dài có thể ảnh hưởng đến độ tin cậy. Hoạt động chức năng của thiết bị ở bất kỳ thời điểm nào

các điều kiện vượt quá những điều kiện được nêu trong phần Điều kiện vận hành khuyến nghị không được ngụ ý.

 

Điều kiện vận hành được đề xuấtý kiến

 

 

Biểu tượng Phạm vi
điện áp cung cấp 5 đến 85V
PGD ​​tắt điện áp 0 đến 5V
Điện áp ILIM tối đa 2,7V
Nhiệt độ tiếp giáp -40 đến 125oC

 

 

Bài tập đầu cuối

MX5069 EFuse IC High Side N_FET Driver Power Distribution Đối với hệ thống công nghiệp 24V 48V 1

 

SỐ PIN Tên mã PIN Sự miêu tả
MSOP 10 DFN3*3
1 10 GIÁC QUAN Đầu vào cảm nhận dòng điện: Điện áp trên điện trở cảm nhận dòng điện (RS) được đo từ VIN đến chân này.
2 9 số VIN Đầu vào nguồn dương: Nên dùng một tụ điện gốm sứ nhỏ gần chân này để triệt tiêu các quá độ xảy ra khi tắt dòng tải.
3 1 UVLO/VN

Đây là một chân điều khiển chức năng kép. Khi được sử dụng làm chân ENABLE và được kéo xuống, nó sẽ tắt MOSFET truyền bên trong.

Là một UVLOpin, nó có thể được sử dụng để lập trình các điểm ngắt UVLO khác nhau thông qua bộ chia điện trở bên ngoài.

4 2 OVP Khóa quá áp: Một bộ chia điện trở bên ngoài từ điện áp đầu vào của hệ thống sẽ đặt ngưỡng tắt quá áp. Ngưỡng bị vô hiệu hóa ở chân là 1,23V.
5 8 GND Nối đất mạch
6 3 SST Một tụ điện từ pinto GND này đặt tốc độ xoay điện áp đầu ra.
7 4 ILIM Bộ giới hạn dòng điện: Một điện trở bên ngoài được kết nối với chân này, kết hợp với điện trở phát hiện dòng điện để đạt được khả năng bảo vệ quá dòng.
8 5 PGD Chỉ báo Nguồn Tốt: Đầu ra thoát nước mở.
9 7 NGOÀI Phản hồi đầu ra: Kết nối với đường ray đầu ra (nguồn MOSFET bên ngoài).
10 6 CỔNG Đầu ra ổ đĩa cổng: Kết nối với cổng MOSFET bên ngoài. Điện áp của chân này thường cao hơn 12V so với chân OUT khi được bật.

 

Đặc tính điệntính xác thực

 

VIN = 12V, UVLO=2V, OVP = GND, TJ = 25°C, trừ khi có ghi chú khác.

 
Biểu tượng THAM SỐ ĐIỀU KIỆN THI PHÚT TYP TỐI ĐA ĐƠN VỊ
ĐẦU VÀO (VIN PIN)
số VIN     5   85 V.
IQON Cung cấp hiện tại Đã bật: EN/UVLO = 2V 0,50 0,70 0,9 ma
IQOFF EN/UVLO = 0V 0,50 0,60 0,70 ma
EN/UVLO
UVLOR Điện áp ngưỡng UVLO tăng lên   1,57   V.
UVLOF Điện áp ngưỡng UVLO rơi xuống   1,40   V.
IUVLO Dòng rò UVLO EN/UVLO = 0V   -2,6   uA
tDUVLO Độ trễ UVLO Độ trễ lên mức cao của GATE   840   chúng ta
Độ trễ đến GATE thấp   3,4   chúng ta
mã PIN OVP
OVPR Điện áp ngưỡng OVP Đang tăng   1,23   V.
OVPF Điện áp ngưỡng OVP Rơi   1.14   V.
tDOVP Độ trễ OVP Độ trễ lên mức cao của GATE   13,8   µs
Độ trễ đến GATE thấp   4.4  
IOVP Dòng điện thiên vị OVP   0   2 µA
PIN NGOÀI
IOUT-EN OUT thiên vị hiện tại, kích hoạt NGOÀI = VIN   10   µA
IOUT-DIS OUT thiên vị hiện tại, bị vô hiệu hóa Đã tắt, OUT = 0V, SENSE = VIN   22  
KIỂM SOÁT CỔNG (GATE PIN)
  Nguồn hiện tại Hoạt động bình thường 1 32 40 µA
IGATE Chìm hiện tại UVLO < 1,40V   0,1   uA
VIN đến SENSE = 150mV   2   MỘT
VGATE Điện áp đầu ra cổng trong hoạt động bình thường Điện áp CỔNG RA 8 10 14 V.
VSD(TÁI BẢN) Ngưỡng VSD đảo ngược VIN < VOUT VIN - VOUT -20 -12 -1 mV
tSD(TÁI BẢN) Hẹn giờ tắt cổng để lùi     36   ns
GIỚI HẠN HIỆN TẠI
IILIM Dòng điện sạc ILIM     20   uA
KA       40   mV/mV
SST (SST PIN)
ISST SST Dòng sạc Hoạt động bình thường 0 2 5 uA
RSST Điện trở phóng điện SST   60 75 90 Ω
VSSTmax Điện áp tụ tối đa SST     5.2   V.
GIẢI QUYẾT Tăng SST đến GATE     33   V/V
PGD
VPGD Đầu ra điện áp thấp ISNK = 2mA   140 180 mV
IPGD Tắt dòng rò VPGD = 5V 0 µA

 

MX5069 EFuse IC High Side N_FET Driver Power Distribution Đối với hệ thống công nghiệp 24V 48V 2

 

Chi tiết liên lạc
sunny

Số điện thoại : +8613954571920

WhatsApp : +8613954571920